特許

J-GLOBAL ID：200903085636382923

半導体受光装置

発明者： 米田 昌博
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-079809
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274545
出願日： 1998年03月26日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】 半導体受光装置に関し、簡単な手段をとることで、pinフォト・ダイオードの高周波帯域に於ける出力の周波数レスポンスの安定化と暗電流の急増抑止とを両立させようとする。【解決手段】 n+ -InP基板1上に順に積層形成されたn+ -InPバッファ層2、n+ -InGaAs光吸収層5、n- -InPキャップ層6と、最上層であるn- -InPキャップ層6の表面からn+ -InGaAs光吸収層5に達するように形成された第一のp+ 拡散領域8と、第一のp+ 拡散領域8から外れた位置に於けるn+ -InPバッファ層2に形成されてキャリヤをトラップする第二のp+ 拡散領域4とを備える。

請求項（抜粋）：

一導電型第一半導体材料の基板上に順に積層形成された一導電型第一半導体材料の半導体層及び一導電型第二半導体材料の光吸収層及び一導電型第一半導体材料の半導体層と、最上層である一導電型第一半導体材料の半導体層の表面から光吸収層に達するように形成された第一の反対導電型不純物拡散領域と、第一の反対導電型不純物拡散領域から外れた位置に於ける基板側の一導電型第一半導体材料の半導体層に形成されてキャリヤをトラップする第二の反対導電型不純物拡散領域とを備えてなることを特徴とする半導体受光装置。