特許
J-GLOBAL ID：200903085644468896
半導体ウェーハ製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-319786
公開番号（公開出願番号）：特開平10-172918
出願日： 1997年11月20日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：
【要約】【課題】 工程を単純化させてSOI素子製造の生産性を向上させることができる半導体ウェーハ製造方法を提供すること。【解決手段】 本発明はエス・オ・アイ(Silicon On Insulator、以下SOIという)ウェーハ製造方法において、熱酸化膜が形成された第1ウェーハと酸素イオン及び水素イオン注入領域が形成された第2ウェーハを接合させて熱処理した後、水素イオン注入領域を切断面に分離し別途の熱処理工程で第1ウェーハの化学的結合を強化させ、第2ウェーハの酸素イオン注入領域を酸化膜で形成した後、第1ウェーハと第2ウェーハの表面を平坦化させることにより第1,2SOIウェーハを形成するが如く、二つのウェーハを利用して二つのSOIウェーハを製造することができる。
請求項（抜粋）：
第1ウェーハと第2ウェーハを提供する工程;前記第1ウェーハ上部に熱酸化膜を形成する工程;前記第2ウェーハに酸素イオンをイオン注入して酸素イオン注入領域を形成する工程;前記第2ウェーハに水素イオンをイオン注入して水素イオン注入領域を形成するが、前記酸素イオン注入領域より浅く形成する工程;前記第2ウェーハの上部面を前記第1ウェーハの熱酸化膜上部面に接合させる工程;前記接合されたウェーハを熱処理する工程;前記第1ウェーハと第2ウェーハを、前記水素イオン注入領域を切断面に分離切断して第1SOIウェーハとベアウェーハを形成する工程;前記第1SOIウェーハを熱処理して化学的結合を強化させる工程;前記ベアウェーハを熱処理工程を介し、前記ベアウェーハ内に存在する前記酸素イオン注入領域を活性化して酸化膜を形成し第2SOIウェーハを形成する工程;前記第1及び第2SOIウェーハ表面を、平坦化させる工程を含んでなることを特徴とする半導体ウェーハ製造方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 21/265 J
, H01L 27/12 B
, H01L 27/12 E
, H01L 21/265 Q
