特許

J-GLOBAL ID：200903085649209422

半導体用シリカ系被膜形成用塗布液、半導体用シリカ系被膜及び該被膜を用いた半導体装置

発明者： 野部 茂 ,  榎本 和宏 ,  阿部 浩一 ,  桜井 治彰
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 穂高 哲夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-314989
公開番号（公開出願番号）：特開2003-119423
出願日： 2001年10月12日
公開日（公表日）： 2003年04月23日
要約：

【要約】【課題】 比誘電率が2.0〜3.0で、LSIのCMP工程に耐える機械強度を有する低誘電率膜を提供する。【解決手段】 一般式(I)R1nSiX4-n (I)(式中R1は、水素原子又は炭素数1〜12の有機基、Xは加水分解性基を示し、nは0〜2の整数を意味する)で表せられるシリコン化合物と、これに対して1〜50モル%の一般式(II)R23SiO(SiR22O)mSiR23 (II)(式中R2は、水素原子又は炭素数1〜8の有機基で少なくとも一つの置換基は不飽和結合を有する有機基であり、mは0又は1の整数を意味する)で表せられるシロキサン化合物を、100〜500°Cの温度範囲で熱分解して揮発する有機ポリマーの存在下に共加水分解重縮合して得られる半導体用シリカ系被膜形成用塗布液。

請求項（抜粋）：

一般式(I)R1nSiX4-n (I)(式中R1は、水素原子又は炭素数1〜12の有機基、Xは加水分解性基を示し、nは0〜2の整数を意味する)で表せられるシリコン化合物と、これに対して1〜50モル%の一般式(II)R23SiO(SiR22O)mSiR23 (II)(式中R2は、水素原子又は炭素数1〜8の有機基で少なくとも一つの置換基は不飽和結合を有する有機基であり、mは0又は1の整数を意味する)で表せられるシロキサン化合物を、100〜500°Cの温度範囲で熱分解して揮発する有機ポリマーの存在下に共加水分解重縮合して得られる半導体用シリカ系被膜形成用塗布液。

IPC (3件)：

C09D183/00 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

C09D183/00 ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G

Fターム (21件)：

4J038CG082 ,  4J038CG142 ,  4J038DD002 ,  4J038DE002 ,  4J038DF022 ,  4J038DL021 ,  4J038DL031 ,  4J038PA19 ,  4J038PB09 ,  5F058AA02 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058BA04 ,  5F058BA20 ,  5F058BC05 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02