特許

J-GLOBAL ID：200903085653321679

金属被覆ポリイミド基板の製造方法

発明者： 佐伯 典之 ,  吉田 友之 ,  田宮 幸広 ,  松本 伸弘 ,  杉浦 卓
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
代理人 (1件)： 鴨田 朝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-056802
公開番号（公開出願番号）：特開平7-243085
出願日： 1994年03月03日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：

【要約】【目的】 金属被覆ポリイミド基板の作製方法において、ニッケル等の無電解めっき被膜と銅の電気めっき被膜との間の密着性を改善することにより、高信頼性を有するPWB、FPC、TAB実装用基板を作製する。【構成】 ポリイミド樹脂フィルムの表面にニッケル、またはコバルト、またはこれら金属の合金の何れかを無電解めっきにより導電性被膜を形成させた後、不活性雰囲気中もしくは真空中で熱処理を施し、次に大気中で熱処理を施してから、前記無電解めっきによる導電性被膜上に電気銅めっきを施すことからなる金属被覆ポリイミド基板の製造方法。

請求項（抜粋）：

ポリイミド樹脂フィルムの表面にニッケル、またはコバルト、またはこれら金属の合金の何れかの導電性被膜を無電解めっきにより形成させた後、不活性雰囲気中もしくは真空中で熱処理を施し、その後前記無電解めっきによる導電性被膜上に銅の電気めっきを施すことからなる金属被覆ポリイミド基板の製造方法において、銅の電気めっきの前に、導電性被膜に大気中で熱処理を施すことを特徴とする金属被覆ポリイミド基板の製造方法。

IPC (5件)：

C25D 5/56 ,  C23C 28/02 ,  H05K 3/38 ,  C23C 18/36 ,  C25D 3/38 101