特許

J-GLOBAL ID：200903085653371870

半導体集積回路

発明者： 塩浦 哲郎 ,  井上 成人
出願人/特許権者： セイコーインスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-090389
公開番号（公開出願番号）：特開平11-288934
出願日： 1998年04月02日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：

【要約】【課題】 斜めからの光を遮光し、誤動作を防止する。漏れ光を低減して素子の安定動作を実現する。【解決手段】 半導体基板上に形成された素子において、上層の金属膜と下層の金属膜を用いて遮光を施した構造とし、半導体素子の周囲に配置した下層の金属膜と、半導体素子を覆う上層の金属膜とをスルーホールを介して接続した構成とした。

請求項（抜粋）：

半導体集積回路において、半導体素子の周囲に設けられた第1の金属膜と、絶縁膜を挟んで前記第1の金属膜の上に配置された半導体素子の上全体を覆う第2の金属膜と、該絶縁膜に設けられたスルーホールにより第1の金属膜と第2の金属膜が接続された構造を特徴とする半導体集積回路。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭57-157563
  
• 特開昭61-144042
  
• 特開昭56-062371