特許

J-GLOBAL ID：200903085661599970

高い抵抗率の炭化ケイ素単結晶

発明者： エリソン アレクサンダー ,  ソン ニュエン ティエン ,  マグヌッソン ビヨルン ,  ヤンセン エリック
出願人/特許権者： オクメティック オーワイジェー
代理人 (1件)： 藤田 アキラ
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-541026
公開番号（公開出願番号）：特表2005-507360
出願日： 2002年10月28日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：

本発明の目的は、例えば高周波数装置のような後続する装置製造に適する電気特性と構造性質を有する高い抵抗率の炭化ケイ素基板を提供することである。それで、装置は安定した線形特性を示す。本発明の別な目的は、低い構造欠陥密度と、実質的に制御された均一な放射状の抵抗率の分布とを有する、高い抵抗率の炭化ケイ素基板を提供することである。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

25°Cで少なくとも105Ωcmの抵抗率を有する半絶縁性の炭化ケイ素単結晶において、 深い準位のアクセプタ不純物又はドナー不純物の少なくとも一つと、深い準位の内因性欠陥の少なくとも一つを含み、 深い不純物の濃度、つまりアクセプタやドナーの濃度は、浅いドナーか浅いアクセプタのどちらかを補償することにより十分に結晶の電気的特性に影響を及ぼすが、内因性の深い準位の濃度よりも低いことを特徴とする半絶縁性の炭化ケイ素単結晶。

IPC (2件)：

C30B29/36 ,  H01L21/205

FI (2件)：

C30B29/36 A ,  H01L21/205

Fターム (12件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BE08 ,  4G077DB28 ,  4G077EA02 ,  4G077EB01 ,  4G077ED01 ,  4G077HA12 ,  5F045AB06 ,  5F045AC19 ,  5F045AC20 ,  5F045CA06

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 高低抗炭化ケイ素の製法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平7-505534   出願人：ダイムラー-ベンツアクチエンゲゼルシャフト, フラウンホーファー-ゲゼルシャフトツルフェルデルングデルアンゲヴァンテンフォルシュングエー.ファウ.
• 高出力マイクロ波装置用高抵抗炭化珪素基板
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-532839   出願人：ノースロップグラマンコーポレーション
• 炭化珪素体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-104379   出願人：日本碍子株式会社
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-099729   出願人：ラムリサーチコーポレーション