縦型絶縁ゲート電界効果トランジスタ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：諸田英二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-343733
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176731
出願日： 1993年12月16日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：

【要約】【目的】縦型MOSFETをモータ制御等に使用する場合、ターンオフ時に回路のインダクタンスによるサージ電圧が発生する。このサージ電圧により該FETの寄生バイポーラトランジスタが動作するのを防止し、破壊耐量を向上すると共にドレイン〜ソース間の耐圧低下を生じない構造のV MOSFETを提供する。【構成】Pベース領域直下のドレイン領域内に、低濃度ドレイン領域を挟んで、選択的にN+ 型高不純物領域を設ける。サージ電圧印加時、Pベース領域肩部にアバランシェブレークダウンが発生する前に、ベース領域直下の空乏層を前記N+ 型領域にパンチスルーさせ、この点を起点として発生するアバランシェ電流を直上のベース領域を通し素子外に放出させ、ベース横方向の電流パスを抑制し、寄生トランジスタの動作を防止する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一方の主面に露出する一導電型の第1ドレイン領域と、第1ドレイン領域に積層され前記基板の他方の主面に露出する一導電型の低不純物濃度の第2ドレイン領域と、前記基板の他方の主面から第2ドレイン領域内に選択的に形成される反対導電型のベース領域と、ベース領域の露出面から該領域に選択的に形成される一導電型のソース領域と、ソース領域と第2ドレイン領域に挟まれかつ前記基板の他方の主面に露出するベース領域表面にゲート絶縁膜を介して対向するゲート電極と、前記基板の他方の主面上に形成され、ソース領域と該領域に囲まれるベース領域とに短絡接触するソース電極とを有する縦型絶縁ゲート電界効果トランジスタにおいて、反対導電型ベース領域の直下のドレイン領域内に選択的に形成され、かつ該ベース領域と接合をつくらない一導電型高不純物濃度領域を具備することを特徴とする縦型絶縁ゲート電界効果トランジスタ。

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