特許
J-GLOBAL ID：200903085669973633
プラズマCVD法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷川 昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-323389
公開番号（公開出願番号）：特開平5-156453
出願日： 1991年12月06日
公開日（公表日）： 1993年06月22日
要約：
【要約】【目的】 原料ガスをプラズマ化するにあたり、ラジカル生成を制御して、成膜に不要なラジカル成分の発生を抑制でき、それによってダスト、パーティクルの発生を抑えつつ良質の薄膜を高速で安全に安定形成できるプラズマCVD法及び装置を提供する。【構成】 成膜室1内のカソード電極2と接地電極3間に導入した原料ガスをプラズマ化し、このプラズマに基板9を曝して該基板上に薄膜を形成するプラズマCVD法及び装置において、前記原料ガスのプラズマ化を高周波パルス発生部4によるカソード電極2への高周波電力のパルス状印加とマイクロ波パルス発生部8による成膜室1へのマイクロ波のパルス状印加により行うプラズマCVD法及び装置。
請求項（抜粋）：
成膜室内のカソード電極と接地電極間に導入した原料ガスをプラズマ化し、このプラズマに基板を曝して該基板上に薄膜を形成するプラズマCVD法において、前記原料ガスのプラズマ化を前記カソード電極への高周波電力のパルス状印加と前記成膜室へのマイクロ波のパルス状印加により行うことを特徴とするプラズマCVD法。
IPC (3件)：
C23C 16/50
, C23C 16/52
, H01L 21/31
