特許

J-GLOBAL ID：200903085671663706

光導波路型素子及びその製造方法

発明者： 杉田 知也 ,  水内 公典 ,  山本 和久
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-258049
公開番号（公開出願番号）：特開2003-066257
出願日： 2001年08月28日
公開日（公表日）： 2003年03月05日
要約：

【要約】【課題】 光導波路型素子において、低導波損失で光閉じ込めの強い光導波路を実現する。【解決手段】 MgOドープLiNbO3 結晶基板1と、MgOドープLiNbO3 結晶基板1の表面近傍に形成された埋め込み型のプロトン交換光導波路2と、光導波路2上に形成された装荷層3とにより光導波路型素子を構成する。装荷層3を、光導波路2の屈折率よりも大きい屈折率を有し、かつ、ニオブ酸化物からなり屈折率の異なる2つの層によって構成された二層構造とする。そして、装荷層3を、光導波路2より離れた層ほど高い屈折率を有するようにする。

請求項（抜粋）：

強誘電体結晶基板と、前記強誘電体結晶基板の表面近傍に形成された光導波路と、前記光導波路上に形成された装荷層とを備えた光導波路型素子であって、前記装荷層が、前記光導波路の屈折率よりも大きい屈折率を有し、かつ、同一の構成元素からなり光学特性の異なる複数の層によって構成された多層構造であることを特徴とする光導波路型素子。

IPC (4件)：

G02B 6/122 ,  G02B 6/12 ,  G02B 6/13 ,  G02F 1/377

FI (4件)：

G02F 1/377 ,  G02B 6/12 A ,  G02B 6/12 M ,  G02B 6/12 H

Fターム (27件)：

2H047KA04 ,  2H047KA06 ,  2H047LA02 ,  2H047NA02 ,  2H047NA08 ,  2H047PA03 ,  2H047PA04 ,  2H047PA12 ,  2H047PA13 ,  2H047PA21 ,  2H047QA01 ,  2H047QA03 ,  2H047RA00 ,  2H047RA08 ,  2H047TA35 ,  2K002AA01 ,  2K002AA04 ,  2K002AB12 ,  2K002BA01 ,  2K002CA03 ,  2K002DA06 ,  2K002EA04 ,  2K002FA07 ,  2K002FA26 ,  2K002FA27 ,  2K002GA07 ,  2K002HA20