特許
J-GLOBAL ID：200903085682586851
薄膜形成法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-060325
公開番号（公開出願番号）：特開平5-263227
出願日： 1992年03月17日
公開日（公表日）： 1993年10月12日
要約：
【要約】【目的】 高密度集積回路の配線寿命がDCスパッタ法で形成した膜と同等の膜が得られる薄膜形成法の提供。【構成】 ターゲットと基板に印加する負の電圧を交互に切り替え、切り替えられて基板に印加される負のバイアス電圧を、2段階以上でかつ2段目のバイアス電圧を1段目より低く変化させることにより、1段目の高い電圧で膜内に吸収されたArガスを2段目の低い電圧で放出させる。【効果】 バイアススパッタ法の特徴である高ステップカバレッジ性を損なわず、DCスパッタ法の配線寿命と同等の値が得られる。
請求項（抜粋）：
真空容器内に対向して収容された一方のターゲットと、他方の基板のそれぞれに負の電圧を印加して該基板に膜形成を行う薄膜形成法において、それぞれの負の電圧を交互に切り替え、前記基板に負のバイアス電圧を印加する際、該バイアス電圧を少なくとも2段階に印加し2段目バイアス電圧の絶対値を1段目より低く変化させることを特徴とする薄膜形成法。
IPC (3件)：
C23C 14/34
, H01L 21/203
, H01L 21/285
