特許
J-GLOBAL ID：200903085684578775
液晶表示基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-133094
公開番号（公開出願番号）：特開平6-347822
出願日： 1993年06月03日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：
【要約】【目的】 製造工数を大幅に低減させる。【構成】 透明基板の主表面に、同一パターンの導電層、高濃度の半導体層の順次積層体からなる信号バスラインを形成する工程と、この信号バスラインと交差して同一パターンの半導体層、絶縁層、導電層の順次積層体からなるゲートバスラインを形成する工程と、これら信号バスラインおよびゲートバスラインを被って前記透明基板の主表面の全域に保護膜を形成する工程と、この保護膜のその表面に形成したマスクを介して有効画素領域に相当する領域に孔開けをする工程と、このように加工された透明基板の主表面の全域に前記マスクを保持したままで透明導電層を形成する工程と、該マスクの上面に形成された透明導電層を該マスクとともに除去する工程とを含む。
請求項（抜粋）：
透明基板の主表面に、同一パターンの導電層、高濃度の半導体層の順次積層体からなる信号バスラインを形成する工程と、この信号バスラインと交差して同一パターンの半導体層、絶縁層、導電層の順次積層体からなるゲートバスラインを形成する工程と、これら信号バスラインおよびゲートバスラインを被って前記透明基板の主表面の全域に保護膜を形成する工程と、この保護膜のその表面に形成したマスクを介して有効画素領域に相当する領域に孔開けをする工程と、このように加工された透明基板の主表面の全域に前記マスクを保持したままで透明導電層を形成する工程と、該マスクの上面に形成された透明導電層を該マスクとともに除去する工程とを含むことを特徴とする液晶表示基板の製造方法。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/13 101
, G02F 1/133 550
