特許

J-GLOBAL ID：200903085687650787

半導体ウエハの試験装置および試験方法

発明者： 辻出 徹 ,  菱井 利祐 ,  中泉 一雄
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-206133
公開番号（公開出願番号）：特開平7-115113
出願日： 1994年08月09日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：

【要約】【目的】 ウエハ上に配列された多数の半導体チップをウエハ状態のままで測定したりバーンインする。【構成】 テスティング基板2を被試験ウエハ1と同じ材質のシリコンウエハとし、ウエハ1のパッド3に対応した位置にパッド4を形成し、両方のウエハ間の導通を異方性導電膜5でとる。テスティング基板2には、電源線7グランド線8等のバーンインに必要となる回路やウエハ上の各々のチップの測定に必要な回路が形成されている。テスティング基板2はガラス基板13によって補強され、また被試験ウエハ1は平坦なステージ14上で真空チャックされ、ウエハの反りが除去され、テスティング基板2との重ね合わせがずれることなくできるようになっている。

請求項（抜粋）：

ウエハ上に配列された多数の半導体チップを一括して測定またはバーンインする半導体ウエハの試験装置であって、熱膨張率が13×10-6/°C以下の材料よりなるテスティング基板上に被試験ウエハの各チップに対する電源供給回路、電源電流制限回路、チップセレクト回路を含む能動回路が形成され、かつ被試験ウエハ上のチップのボンディングパッドと対応して形成されたパッド上には異方性導電膜が被着形成されていることを特徴とする半導体ウエハの試験装置。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/26

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体チップの選別装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-288912   出願人：日本エンジニアリング株式会社