特許

J-GLOBAL ID：200903085692575629

SOI構造のMOSFETとその製造方法

発明者： 加藤 輝男
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-119135
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315355
出願日： 1992年05月12日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、SOI構造のMOSFETに関するもので、その製造時SOI基板の上層が多結晶化されて、シート抵抗の増加、結晶欠陥の発生をきたすことを除去することを目的とするものである。【構成】 前記目的のため本発明は、少なくともソース・ドレインとしての拡散層14となる領域の上に接して、不純物を注入した金属シリサイド膜4を形成して、そのシリサイド膜4からの固相拡散により前記ソース・ドレイン拡散層14を形成するようにしたものである。

請求項（抜粋）：

半導体装置として、絶縁層上に形成された単結晶半導体層を有するSOI基板を用いたSOI構造のMOSFETにおいて、少なくとも、ソース・ドレイン領域となる拡散層に接した上層に金属シリサイド層が存在していることを特徴とするSOI構造のMOSFET。

IPC (6件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/225 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平3-173478