特許
J-GLOBAL ID：200903085693339589

イットリウムシリケート蛍光体の製造方法

発明者：
野口 泰延

野口 泰延 について

, 
米田 昌弘

米田 昌弘 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-133041
公開番号（公開出願番号）：特開平9-316444
出願日： 1996年05月28日
公開日（公表日）： 1997年12月09日
要約：
【要約】【目的】 γ特性及び温度特性が良好で、かつ長寿命なイットリウムシリケート蛍光体の製造方法を提供する。【構成】 希土類酸化物と二酸化ケイ素からなる混合原料を焼成するイットリウムシリケート蛍光体の製造方法において、前記希土類酸化物は、次の条件を満たし、粒子形状が球状で粒のそろった粒度分布を持ち、前記混合原料を1450°C〜1650°Cの範囲でフラックスを添加せずに焼成することを特徴とするイットリウムシリケート蛍光体の製造方法。≦Dl/Ds≦1.52.0≦Da≦6.02.7≦Dm≦11.01.0≦Dm/Da≦2.00≦σlog≦0.30ここで、Dlは粒子の長径(μm)、Dsは短径(μm)、Daは平均粒径(μm)、Dmは中央粒径(μm)、σlogは粒度分布の広がりを示す指標である。
請求項（抜粋）：
希土類酸化物と二酸化ケイ素からなる混合原料を焼成するイットリウムシリケート蛍光体の製造方法において、前記希土類酸化物は、次の条件を満たし、粒子形状が球状で粒のそろった粒度分布を持ち、前記混合原料を1400°C〜1650°Cの範囲でフラックスを添加せずに焼成することを特徴とするイットリウムシリケート蛍光体の製造方法。Dl/Ds≦1.52.0≦Da≦6.02.0≦Dm≦12.01.0≦Dm/Da≦2.00≦σlog≦0.30ここで、Dlは粒子の長径(μm)、Dsは短径(μm)、Daは平均粒径(μm)、Dmは中央粒径(μm)、σlogは粒度分布の広がりを示す指標である。
IPC (3件)：
C09K 11/79 CPR ,  C09K 11/08 ,  H01J 9/22
FI (3件)：
C09K 11/79 CPR ,  C09K 11/08 B ,  H01J 9/22 S
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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