特許

J-GLOBAL ID：200903085695463600

表面処理方法およびプラズマ処理装置

発明者： 大槻 林
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-033091
公開番号（公開出願番号）：特開平7-216589
出願日： 1994年02月03日
公開日（公表日）： 1995年08月15日
要約：

【要約】【目的】 重金属汚染やパーティクルの発生を抑えることで所望の処理条件を満足することができる表面処理方法を提供すること。【構成】 アルミニウム表面に陽極酸化による被膜を形成し、この被膜の封孔処理後、プラズマCVD処理によってシリコン系被膜を積層する。これにより、陽極酸化膜の保護層を形成して、陽極酸化膜を透して析出する不純物の発生を防止する。

請求項（抜粋）：

アルミニウム部材表面に、陽極酸化により陽極酸化被膜を形成する陽極酸化処理工程と、上記アルミニウム部材表面の上記陽極酸化被膜に形成された細孔の封孔処理を行なう封孔処理工程とを含む表面処理方法において、上記封孔処理後、プラズマCVDによりシリコン系の被膜を成膜する成膜工程を含み、上記陽極酸化被膜上にシリコン系被膜を積層することを特徴とする表面処理方法。

IPC (10件)：

C25D 11/18 312 ,  C25D 11/18 301 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (3件)：

H01L 21/302 C ,  H01L 21/31 C ,  H01L 23/30 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-058706
  
• 特開昭63-108609