特許
J-GLOBAL ID：200903085696597490
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-015638
公開番号（公開出願番号）：特開平7-226507
出願日： 1994年02月10日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：
【要約】【目的】 MIS構造の半導体装置及びその製造方法に関し、動作速度の向上及び特性の均一性を向上する。【構成】 MIS構造の半導体装置において、ゲート電極5Gがα-Ta膜5αよりなる構造、ゲート電極がTiN とα- Taの積層膜よりなる構造、ゲート絶縁膜が多結晶SiC よりなりゲート電極がα-Ta膜よりなる構造、及びスパッタ形成したβ-Ta膜のゲート電極領域のみ選択的にα-Taとなし、α-Taとβ-Taとの選択エッチング性を用いて上記Ta膜からα-Taゲート電極をパターニングする工程を有する上記半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が配設されるMIS構造を有し、該ゲート電極がα-タンタル膜よりなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 301 G
, H01L 29/62 G
