特に磁気記録または光磁気記録用の磁気彫刻法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-527952
公開番号（公開出願番号）：特表2002-501300
出願日： 1999年01月12日
公開日（公表日）： 2002年01月15日
要約：

【要約】本発明は、薄層材料を、マイクロメーター以下の幅を有する帯域にわたって、前記材料の磁気特性、特にその保磁力、その磁気異方性およびそのキュリー温度などを局所的に改質するために制御照射することからなることを特徴とする磁気彫刻法に関する。

請求項（抜粋）：

薄膜材料を、1μmまたはそれ未満のオーダーの幅を有する領域にわたって、前記材料の磁気特性、例えば、その常磁力、その磁気異方性またはそのキュリー温度、を局所的に改質するために制御可能に照射することを特徴とする、磁気エッチング法。

IPC (4件)：

H01F 41/14 , G11B 7/26 , G11B 11/105 511 , G11B 11/105 546

FI (4件)：

H01F 41/14 , G11B 7/26 , G11B 11/105 511 M , G11B 11/105 546 C

Fターム (13件)：

5D075CC01 , 5D075EE03 , 5D075FF02 , 5D075FH02 , 5D075GG01 , 5D121AA01 , 5D121GG04 , 5E049AA04 , 5E049AA09 , 5E049AC05 , 5E049BA23 , 5E049FC10 , 5E049GC06

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平1-292699
特開昭61-154119
特開昭60-150613

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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