特許
J-GLOBAL ID：200903085697758241
半導体基板の研磨装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大坪 知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-300938
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130689
出願日： 1993年11月06日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：
【要約】【目的】 枚葉式の半導体基板(ウェーハ)の研磨装置において、研磨量の半導体基板面内の均一性を確保する。【構成】 基板取付部33bの外表面33c(半導体基板の当接面)を外方へ膨らんだ湾曲面形状にする。またこれに半導体基板を取り付けて研磨布に押圧して、研磨布の弾性力により半導体基板を外表面33cに沿って湾曲する。これにより、従来加工圧力の面内分布,特に研磨布の弾性が半導体基板の周辺部に大きく作用してその部分の加工圧力が高くなっていた面内分布を、より均一にすることができ、研磨量の面内の均一性がより確保される。湾曲面形状は図1に示すようにピエゾ素子,超磁歪合金等35を駆動して形成してもよく、また、固定的に形成してあってもよい(図示省略)。
請求項（抜粋）：
研磨用回転キャリアに取り付けられた基板吸着用プレートの半導体基板取付部に取り付けられた半導体基板を、研磨布を介在させて、研磨定盤に対向させ、上記半導体基板の表面を上記研磨布により研磨する半導体基板の研磨装置において、上記基板吸着用プレートの半導体基板取付部の外表面は外方に膨らんだ湾曲面形状であることを特徴とする半導体基板の研磨装置。
IPC (3件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, B24B 37/04
