特許

J-GLOBAL ID：200903085705509507

平面型トランス

発明者： 谷川 嘉浩 ,  天野 正彦 ,  水口 慶一
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 石田 長七 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-300772
公開番号（公開出願番号）：特開平5-135951
出願日： 1991年11月15日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】【目的】結合係数を大きくし伝送損失を低減した平面型トランスを提供する。【構成】絶縁体の基板4の上に磁性体ペーストによって形成した第1の磁性体層1aを積層する。第1の磁性体層1aの上には、コイルパターンを形成した第1の導電体層2aとともに絶縁材料よりなる絶縁層3を積層する。絶縁層3の上にコイルパターンを形成した第2の導電体層2bとともに磁性体ペーストよりなる第2の磁性体層1bを積層する。第1の導電体層2aおよび第2の導電体層2bは、それぞれ磁性体層1a,1bに近接しているから、磁性体層1a,1bの中での磁束密度が大きくなる。また、コイルパターンの対向面間には磁性体が存在しないから、磁束の大部分は両コイルパターンに鎖交することになり、結合係数が大きくなる。

請求項（抜粋）：

一平面上にコイルパターンを形成した第1の導電体層と、他平面上にコイルパターンを形成した第2の導電体層とを磁気的に結合するように対向させて配置し、第1の導電体層および第2の導電体層を磁性体層の間に配置した平面型トランスにおいて、第1の導電体層および第2の導電体層のコイルパターンの対向面間には磁性体を設けないことを特徴とする平面型トランス。

IPC (3件)：

H01F 19/00 ,  H01F 17/00 ,  H01F 27/28

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-243104
  
• 特開平3-171705
  
• 特開平1-151212