特許
J-GLOBAL ID:200903085709668642
CMOSセンサ回路
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
伊東 忠彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-135503
公開番号(公開出願番号):特開2002-330346
出願日: 2001年05月02日
公開日(公表日): 2002年11月15日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、画素部の素子数を増やすことなく、ブルーミングを抑制することが可能なCMOSセンサ回路を提供することを目的とする。【解決手段】 フォトダイオードPDと、フォトダイオードPDを初期電圧にリセットするリセットトランジスタM1とを少なくとも備えたCMOSセンサ回路において、CMOSセンサ回路は、電圧制御回路2を備え、電圧制御回路2は、PチャネルMOSトランジスタM4のドレインと、NチャネルMOSトランジスタM6のドレインとの間に、ブルーミング制御用トランジスタM5を挿入したことを特徴とする。
請求項(抜粋):
フォトダイオードと、該フォトダイオードを初期電圧にリセットするリセットトランジスタとを少なくとも備えたCMOSセンサ回路において、前記リセットトランジスタのゲート電位を、電源電位以外の電位に制御する電圧制御回路を設けたことを特徴とするCMOSセンサ回路。
IPC (3件):
H04N 5/335
, H01L 31/10
, H03K 17/94
FI (4件):
H04N 5/335 E
, H04N 5/335 P
, H03K 17/94 E
, H01L 31/10 G
Fターム (20件):
5C024BX00
, 5C024CX43
, 5C024GX03
, 5C024GY31
, 5C024GZ01
, 5C024HX02
, 5F049MA01
, 5F049NB05
, 5F049RA08
, 5F049RA10
, 5F049UA20
, 5J050AA12
, 5J050BB00
, 5J050BB24
, 5J050CC15
, 5J050DD08
, 5J050EE02
, 5J050EE31
, 5J050EE36
, 5J050FF10
引用特許:
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