特許

J-GLOBAL ID：200903085710530301

水素注入システム

発明者： 中村 雅人 ,  赤嶺 和彦 ,  朝倉 大和 ,  大角 克己 ,  伊部 英史 ,  大中 紀之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-028957
公開番号（公開出願番号）：特開平9-222495
出願日： 1996年02月16日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】【課題】水素の注入により原子炉底部材料のSCCを抑制するに際して、原子炉底部の腐食電位及び主蒸気系の線量率が所定の範囲になるような最適な水素注入量を制御する。【解決手段】原子炉底部水の腐食電位の測定を盤11aで行い、データ収集装置11bを用いてモニタリングを行う。腐食電位及び主蒸気系の線量率が所定の範囲になるようにバルブ30の開度調節し水素の注入量を制御する。

請求項（抜粋）：

沸騰水型原子力発電プラントにおいて、原子炉底部材料の腐食電位及び主蒸気系の線量率を測定し、その腐食電位及び主蒸気系の線量率が所定の範囲内になるように給水系に注入する水素濃度を制御することを特徴とする水素注入システム。

IPC (2件)：

G21D 3/08 GDB ,  G21D 1/00 GDB

FI (2件)：

G21D 3/08 GDB X ,  G21D 1/00 GDB X