特許
J-GLOBAL ID：200903085710625760
可変レベルシフタ及びマルチプライヤ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工藤 宣幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-167435
公開番号（公開出願番号）：特開平9-018329
出願日： 1995年07月03日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：
【要約】【目的】 低電圧にも対応できる、差動信号をも処理し得る線形性が良好な可変レベルシフタを実現する。【構成】 ソース共通の電界効果型トランジスタ対を備えた第1〜第3のトランスコンダクタセル(以下、セルと略す)T11〜T13を有する。そして、当該可変レベルシフタの第1の差動電圧入力端子対が第1のセルの差動電圧入力端子対に接続されると共に、当該可変レベルシフタの第2の差動電圧入力端子対が第2及び第3のセルの差動電圧入力端子対のそれぞれに接続される。また、第1のセルの第1の差動電流出力端子と第3のセルの第1の差動電流出力端子とが接続され、第1のセルの第2の差動電流出力端子と第2のセルの第1の差動電流出力端子とが接続され、第2のセルの第2の差動電流出力端子と第3のセルの第2の差動電流出力端子とが所定電位に接続される。
請求項（抜粋）：
ソースが共通に接続された電界効果型トランジスタ対を備え、当該トランスコンダクタセルの差動電圧入力端子対への入力電圧対に応じて、上記電界効果型トランジスタ対が差動動作し、この差動動作による上記電界効果型トランジスタ対のドレイン電流が当該トランスコンダクタセルの差動電流出力端子対に流れる、第1、第2及び第3のトランスコンダクタセルを有する可変レベルシフタであって、当該可変レベルシフタの第1の差動電圧入力端子対が上記第1のトランスコンダクタセルの差動電圧入力端子対に接続されると共に、当該可変レベルシフタの第2の差動電圧入力端子対が上記第2及び第3のトランスコンダクタセルの差動電圧入力端子対のそれぞれに接続され、上記第1のトランスコンダクタセルの第1の差動電流出力端子と上記第3のトランスコンダクタセルの第1の差動電流出力端子とが接続され、上記第1のトランスコンダクタセルの第2の差動電流出力端子と上記第2のトランスコンダクタセルの第1の差動電流出力端子とが接続され、上記第2のトランスコンダクタセルの第2の差動電流出力端子と上記第3のトランスコンダクタセルの第2の差動電流出力端子とが所定電位に接続されていることを特徴とする可変レベルシフタ。
IPC (3件)：
H03K 19/0185
, G06G 7/163
, H03F 3/45
H03K 19/00 101 B
, G06G 7/163 M
, H03F 3/45 Z
