ガス導入装置、成膜装置、及び成膜方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-134365
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343780
出願日： 2001年05月01日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：

【要約】【課題】 CVD法によって基体上に薄膜を形成する際に、成膜速度の低下を抑え、膜厚の不均一化を防止できるガス導入装置、成膜装置、及び成膜方法を提供する。【解決手段】 CVD装置1は、チャンバ2内にシャワーヘッド4及びサセプタ5が対向設置されたものであり、チャンバ2のガス供給口9に接続されたガス供給部30から、シャワーヘッド4のキャビティ部Sc内に原料ガスが供給される。原料ガスはキャビティ部Scで減速、混合、及び拡散が十分に行われる。また、キャビティ部Scの原料ガスは、シャワーヘッド4のフェイスプレート45を介して加熱される。このとき、キャビティ部Scの内高Gが、距離Dより大きくされており、シャワーヘッド4からの熱の放散が制限され、キャビティ部Scの熱的な絶縁性が高められて原料ガスが十分に加熱される。

請求項（抜粋）：

基体が収容され該基体を支持する支持部を有するチャンバと、該チャンバに接続され原料ガスを含むガス供給部とを備え、且つ、化学的気相堆積法によって該基体上に薄膜が形成される成膜装置に用いられるガス導入装置であって、複数の孔が設けられ且つ前記支持体に対向するように配置される底壁部を含む筐体壁と、該筐体壁、叉は、該筐体壁及び前記チャンバで画成され、且つ、前記原料ガスが供給されるキャビティ部と、を備えており、前記筐体壁が、下記式(1);Vc>Vw ...(1)、Vc:前記キャビティ部の容積、Vw:前記支持部上に前記基体が支持されたときに、該基体と前記底壁部との間のギャップ部の容積、で表される関係を満たすように設けられたものである、ことを特徴とするガス導入装置。

IPC (2件)：

H01L 21/31 , C23C 16/455

FI (2件)：

H01L 21/31 B , C23C 16/455

Fターム (29件)：

4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA18 , 4K030BA40 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA05 , 4K030FA10 , 4K030JA03 , 4K030JA05 , 4K030JA09 , 4K030KA23 , 4K030KA41 , 4K030LA15 , 5F045AA06 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC03 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AD11 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045BB02 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EF05

引用特許：

審査官引用 (1件)

化学気相成長方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-313330 出願人：三菱電機株式会社

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