特許
J-GLOBAL ID：200903085716405231
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-102281
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294724
出願日： 1999年04月09日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：
【要約】【課題】 LSIチップどうしをフェースダウンで接合するのに、互いのLSIをチップ状に分割して行うと、接合工程、チップ分割工程において生産性が低いものとなってしまう。【解決手段】 第1の半導体チップ1が形成された半導体ウェハ2に対して、複数個の第2の半導体チップ3よりなる半導体スティック4を順次、その電極どうしを接合し、それらの間隙を絶縁性樹脂8で充填した後、半導体スティック4の裏面側から一括で同時工程により切断することにより、生産性の向上を図り、コストを安くすることができる。
請求項（抜粋）：
内部電極と外部電極とを有する第1の半導体チップと内部電極を有する第2の半導体チップとがその表面どうしを対向して前記内部電極どうしが電気的に接合され、前記外部電極が外部支持体の電極に接続され、前記第1の半導体チップの一幅と前記第2の半導体チップの一幅とが同一の幅寸法であり、第1の半導体チップ上に第2の半導体チップが接合されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
