特許
J-GLOBAL ID：200903085718838682
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-084452
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302564
出願日： 1993年04月12日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：
【要約】【目的】 コンタクトホールにおける導伝膜とシリコン基板の間のコンタクトリークを低減する。【構成】 シリコン基板1上に絶縁膜2を形成する。絶縁膜2上にフォトレジストパターン3を形成し、絶縁膜2にフォトレジストパターン3をマスクとして加速エネルギー20keV、ドーズ量1×1015cm-2の条件で、絶縁膜2中に飛程が存在するようにフッ素5を注入した後に、フッ素系ガスを用いたドライエッチングによってコンタクトホールを形成する。次に、フォトレジストパターン3を除去した後、絶縁膜2上に導伝膜4を形成し、この導伝膜4をアロイ化するために熱処理を行なう。フッ素5の導入によって、シリコン基板1と導伝膜4との間のアロイスパイクの形成を抑制できるので、コンタクトリークを低減することができる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に絶縁膜を形成する工程と、上記絶縁膜上にフォトレジストパターンを形成する工程と、上記絶縁膜に上記フォトレジストパターンをマスクとして該絶縁膜中に飛程が存在する条件下でフッ素を注入する工程と、上記絶縁膜に上記フォトレジストパターンをマスクとしてフッ素系ガスを用いたドライエッチングを施すことにより該絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、上記フォトレジストパターンを除去した後、上記絶縁膜上に導伝膜を形成する工程と、上記導伝膜を熱処理することにより該導伝膜をアロイ化する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, H01L 21/28
, H01L 21/3205
