半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-100353
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294347
出願日： 1997年04月17日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 Al系合金をホール内に埋め込む高温スパッタ終了後、直ちに非破壊で埋め込み不良を検出することのできる半導体装置の製造方法を提供することにある。【解決手段】ウエハ上に素子形成領域と検査パターン形成領域を設け、半導体基板1および絶縁膜2上に配線層3を形成し、配線層3上および半導体基板1上に層間絶縁膜4を形成し、素子形成領域の層間絶縁膜4に配線層3を露出する第1のホールを形成し、検査パターン領域の層間絶縁膜に半導体基板1を露出する第1のホールと同一形状の第2のホールを形成し、第1および第2のホール内にAl系合金を埋め込み、第2のホールを観察し、第1のホールにボイドが発生しているかどうかを検査する。

請求項（抜粋）：

素子形成領域および検査パターン形成領域を有する半導体ウエハの前記素子形成領域に配線層を形成する一方、前記検査パターン形成領域には配線層を形成しない工程と、全面に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜を選択的に除去することにより前記素子形成領域に形成された前記配線層の一部を露出する第1のホールおよび前記検査パターン形成領域のシリコン層の一部を露出する第2のホールを形成する工程と、前記第1および第2のホール内にAl系合金を埋め込む工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/66 , H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/66 Y , H01L 21/66 Z , H01L 21/88 S

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