特許

J-GLOBAL ID：200903085731842885

窒化珪素メンブレン、窒化珪素メンブレン部材の 製造方法

発明者： 高橋 進一 ,  中村 肇 ,  藤崎 久雄
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-029543
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223658
出願日： 1996年02月16日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】【課題】 X線照射耐性を向上させた窒化珪素メンブレンを製造する方法及びX線照射耐性を向上させた窒化珪素メンブレンを備えた窒化珪素メンブレン部材を製造する方法を提供すること。【解決手段】 窒化珪素からなるメンブレン(自立薄膜)32と、開口部Wを有する該メンブレン32の支持枠21’とを備えた部材における該窒化珪素メンブレン32を製造する方法において、前記メンブレン32をSiH2 Cl2 及びNH3 を反応ガスとして用いた減圧CVD法により、反応炉内温度を900°Cまたは略900°Cとし、かつSiH2 Cl2 /NH3 (ガス流量比)を1以下または略0.3 〜1とした成膜条件にて形成したことを特徴とする窒化珪素メンブレン32の製造方法。

請求項（抜粋）：

窒化珪素からなるメンブレン(自立薄膜)を製造する方法において、前記メンブレンをSiH2 Cl2 及びNH3 を反応ガスとして用いた減圧CVD法により、反応炉内温度を900°Cまたは略900°Cとし、かつ、SiH2 Cl2 /NH3 (ガス流量比)を1以下または略0.3 〜1とした成膜条件にて形成したことを特徴とする窒化珪素メンブレンの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16 ,  H01L 21/318

FI (3件)：

H01L 21/30 531 M ,  G03F 1/16 A ,  H01L 21/318 B