特許
J-GLOBAL ID：200903085733667347

III族窒化物系化合物半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法

発明者：
石田 進

石田 進 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-186191
公開番号（公開出願番号）：特開2006-013034
出願日： 2004年06月24日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：
【課題】金等の厚膜(パッド)電極での緑色、青色又は紫外光の吸収を回避する。【解決手段】青色光を吸収しやすい金等で形成された厚膜電極7の下に青色光等を反射する銀、アルミニウム、ロジウム等いずれか、又はそれらを含む合金から成る光反射金属層6を形成する。発光層3で発せられた光は、基板1の裏面に形成された裏面反射層8、光反射金属層6とで反射され、厚膜電極7に達することなく、透光性電極5、又はチップ側面から放出される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
透光性電極をIII族窒化物系化合物半導体層の上に形成したIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、 透光性電極とボンディングワイヤを電気的に接続する厚膜電極を有し、 当該厚膜電極の下部の前記III族窒化物系化合物半導体層上に緑色、青色乃至紫外光を反射する光反射金属層を形成したことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (2件)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C
Fターム (8件)：
5F041AA03 ,  5F041CA40 ,  5F041CA83 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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