特許
J-GLOBAL ID：200903085741736838
面発光レーザ及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-039755
公開番号（公開出願番号）：特開平6-318760
出願日： 1994年03月10日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：
【要約】【目的】 反射鏡よりも小さい面積を有する活性層を備えた面発光レーザ及びその製造方法を提供する。【構成】 ドライエッチングにより上部反射鏡16を形成し、上部反射鏡16に保護膜を形成した後、活性層20及びバリア層21,22をドライエッチングする。活性層20をウエットエッチングによりサイドエッチングすることにより、上部反射鏡16より面積の小さい活性層20を形成する。
請求項（抜粋）：
面発光レーザの製造方法であって、該方法は、底部反射鏡となる第1の半導体積層と、該第1の半導体積層上に形成された、活性層と活性層を挟む上方バリア層及び下方バリア層とを含む第2の半導体積層と、該第2の半導体積層上に形成された上部反射鏡となる第3の半導体積層とを有する半導体基板上に上部反射鏡を規定するマスクパターンを形成する工程と、該上方バリア層の表面が露出するまで、該マスクパターンをマスクとして該第3の半導体積層をドライエッチングによって除去し、該上部反射鏡を形成する工程と、少なくとも該上部反射鏡の側面にエッチング保護膜を形成する工程と、該マスクパターン及び該エッチング保護膜をマスクとして、ドライエッチングによって該活性層の一部と上方バリア層と下方バリア層との一部を除去する工程と、該活性層の一部と上方バリア層の一部及び下方バリア層の一部とを更にウエットエッチングによって除去し、該上部反射鏡よりも小さい面積を有する活性層を形成する工程と、を包含する、面発光レーザの製造方法。
引用特許：
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