光半導体装置のマーカ形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-058699
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256664
出願日： 1997年03月13日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】光半導体装置のマーカ形成方法に関し、ウエハの両端に活性層の位置を正確に反映する活性層位置表示用マーカをセルフ・アライメントで形成する。【解決手段】基板41上にストライプの活性層42を含む光導波路を形成する為の活性層42、第一クラッド層43などを積層し、光導波路を形成する為の半導体層をストライプ化する第一のマスク及び基板41の両端近傍で第一のマスクの両側に間隔をおき並行する第二のマスクを形成し、第一及び第二のマスクを利用し前記光導波路を形成する為の半導体層をエッチングしてストライプの活性層42を含む第一のリッジ及び電流ブロック層成長制御用リッジ45である第二のリッジを形成し、電流ブロック層46を成長して第一のリッジ及び第二のリッジの側面を埋め、第一のマスク及び第二のマスクを除去してから第一のリッジに対向するV字形の溝が生成された第二クラッド層47、コンタクト層48を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に埋め込み構造の光導波路を形成する為の半導体層を積層形成する工程と、次いで、前記光導波路を形成する為の半導体層をストライプ化する為の第一のマスク及び前記基板の両端近傍に於いて第一のマスクの両側に間隔をおいて並行する第二のマスクを形成する工程と、次いで、第一のマスク並びに第二のマスクを利用し前記光導波路を形成する為の半導体層をエッチングして第一のリッジ及び第二のリッジを形成する工程と、次いで、第一のマスク並びに第二のマスクを残したまま半導体結晶成長を行なって第一のリッジ及び第二のリッジに於ける少なくとも側面を埋める工程と、次いで、第一のマスク及び第二のマスクを除去してから半導体結晶成長を行なって第一のリッジに対向するV字形の溝が生成された半導体層を形成する工程とが含まれてなることを特徴とする光半導体装置のマーカ形成方法。

IPC (3件)：

H01S 3/18 , G02B 6/13 , G02B 6/42

FI (3件)：

H01S 3/18 , G02B 6/42 , G02B 6/12 M

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