特許
J-GLOBAL ID：200903085754618605
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-148908
公開番号（公開出願番号）：特開平7-014841
出願日： 1993年06月21日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：
【要約】【構成】 半導体基板上に形成されたアルミニウム配線4上に配線パターン形成用のレジストパターン5を形成する工程と、ドライエッチングによりアルミニウム配線4を除去する工程と、WF6を含んだガスとアルミニウム配線4を反応させアルミニウム配線4の露出した部分にタングステン膜6を堆積する工程と、珪弗化水素酸(H2SiF6)に二酸化珪素を溶解して得た二酸化珪素の飽和水溶液を用いた液層成長により二酸化珪素膜7を堆積する工程と、前記レジスト5を除去したシリコン酸化膜8を全面に堆積する工程とを含有する。【効果】 段差なくアルミ配線上に二酸化珪素膜を堆積することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成されたアルミニウム膜上に配線形成用のレジストパターンを形成する工程と、ドライエッチングにより前記アルミニウム膜を除去する工程と、弗酸に不溶の金属を含んだガスと前記アルミニウム膜を反応させ前記アルミニウム膜の露出した部分に前記金属膜を堆積する工程と、珪弗化水素酸(H2SiF6)に二酸化珪素を溶解して得た二酸化珪素の飽和水溶液を用いた液層成長により二酸化珪素膜を堆積する工程と、前記レジストを除去した後、絶縁膜を全面に堆積する工程とを備えた半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/768
