特許

J-GLOBAL ID：200903085755490270

窒化物半導体素子

発明者： 豊田 達憲 ,  中河 義典 ,  楠瀬 健
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
代理人 (1件)： 豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-119613
公開番号（公開出願番号）：特開2003-023182
出願日： 1997年11月14日
公開日（公表日）： 2003年01月24日
要約：

【要約】【課題】 発光層(又は受光層)に均一に電流を注入することができ、発光効率(又は受光効率)を高くできる窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】 基板上にn型窒化物半導体層、発光層及びp型窒化物半導体層が順に積層され、p型窒化物半導体層上に正電極が形成され、p型窒化物半導体層の一部を除去して露出させたn型窒化物半導体層の表面とオーミック接触するように負電極が形成された窒化物半導体素子において、正電極及びp型窒化物半導体層を覆うように第1の絶縁膜を形成し、負電極を外部回路との接続部分の面積が大きくなるように第1の絶縁膜を介して正電極上に延在させて形成した。

請求項（抜粋）：

基板上にn型窒化物半導体層、発光層及びp型窒化物半導体層が順に積層され、上記p型窒化物半導体層上に正電極が形成され、上記p型窒化物半導体層の一部を除去して露出させた上記n型窒化物半導体層の表面とオーミック接触するように負電極が形成された窒化物半導体素子において、上記正電極及び上記p型窒化物半導体層を覆うように第1の絶縁膜を形成し、上記負電極を外部回路との接続部分の面積が大きくなるように上記第1の絶縁膜を介して上記正電極上に延在させて形成したことを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/41 ,  H01L 31/10

FI (7件)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 29/44 S ,  H01L 29/44 L ,  H01L 29/44 P ,  H01L 31/10 H

Fターム (18件)：

4M104AA04 ,  4M104CC01 ,  4M104DD06 ,  4M104FF01 ,  4M104FF03 ,  4M104FF09 ,  4M104FF11 ,  4M104GG04 ,  4M104GG05 ,  4M104HH20 ,  5F041AA03 ,  5F041AA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA93 ,  5F049MA02 ,  5F049MB07 ,  5F049NA14

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-331022   出願人：日亜化学工業株式会社
• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-128451   出願人：シャープ株式会社