特許
J-GLOBAL ID：200903085758907024
光半導体装置
出願人/特許権者：
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-054154
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258307
出願日： 2002年02月28日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：
【要約】【課題】 高収斂性で輝度ムラが少なく、高精度のフォーカシングを得ることの可能な光半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 発光素子と、この発光素子を固定する台座と、前記発光素子を前記台座上で被覆し、前記発光素子からの照射光を透過、収斂させる樹脂部と、前記発光素子と外部回路を接続するリードを有し、前記樹脂部は、曲率半径rの光射出面を備え、前記光射出面と前記発光素子の発光面との距離をd、前記樹脂部の屈折率をn、前記発光素子の発光サイズをgとしたとき、Σ=r/((1-n)d+nr)で表される収斂係数Σと、その関数(1/r)gΣ4 が、を満たしている。
請求項（抜粋）：
発光素子と、この発光素子を固定する台座と、前記発光素子を前記台座上で被覆し、前記発光素子からの照射光を透過、収斂させる樹脂部と、前記発光素子と外部回路を接続するリードを有し、前記樹脂部は、曲率半径rの光射出面を備え、前記光射出面と前記発光素子の発光面との距離をd、前記樹脂部の屈折率をn、前記発光素子の発光サイズをgとしたとき、Σ=r/((1-n)d+nr)で表される収斂係数Σと、その関数(1/r)gΣ4 が、を満たすことを特徴とする光半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (17件)：
2H087KA01
, 2H087LA24
, 2H087PA01
, 2H087PA17
, 2H087PB01
, 2H087QA02
, 2H087QA05
, 2H087QA13
, 2H087QA33
, 2H087RA45
, 2H087UA01
, 5F041AA06
, 5F041CA34
, 5F041DA43
, 5F041DA57
, 5F041DB09
, 5F041FF16
引用特許：
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