特許
J-GLOBAL ID：200903085762317894
気相成長装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-076333
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267871
出願日： 1993年03月09日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】 化合物半導体を成長させる縦型の気相成長装置において、成長に伴って発生するダストが成長室を汚染する。デイスクバルブを持ちこれにより成長室を遮断する形式の装置ではダストがバルブについてリ-クを引き起こす原因になる。これを清掃するのも難しい。ダストの悪影響を除き、清掃を容易にすることが目的である。【構成】 成長室の内部に幾つかに分割したカバ-を設ける。分割カバ-は回転シャフトを覆うように配置される。ダストはこれらのカバ-内に溜る。分割カバ-は縦に幾つかに分割されているので、外部へ取り出すことができる。これによりダストの清掃が簡単にできる。
請求項（抜粋）：
気相成長室の内部に半導体基板を支持するサセプタを配設すると共に、ガスを供給し前記基板上に成膜する気相成長装置において、前記サセプタより下方の気相成長室内面をダストカバ-で覆ってなり、前記カバ-を半径方向及び軸方向に重なりを持つ複数に分割し、前記気相成長室の下方内面をダストから保護して成ると共に、前記気相成長室の開放によって前記分割した、ダストカバ-が取り出せるように構成した事を特徴とする気相成長装置。
IPC (2件)：
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