特許
J-GLOBAL ID：200903085776130240
リンをドーピングしたシリコンの製造法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
社本 一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-259229
公開番号（公開出願番号）：特開平10-112441
出願日： 1996年09月30日
公開日（公表日）： 1998年04月28日
要約：
【要約】【課題】 リンをドーピングしたシリコンの製造法の提供。【解決手段】 NTD法によるCZおよびMCZシリコンウエハーを製造するためのワーキングレシピの提供。従来の酸素沈積時の体積変化により発生する格子間シリコン(SiI)が、中性子により造り出された空格子点に入り込み、このため沈積によるさらなる酸素損失が容易に起こる、という点に留意して中性子強化S-曲線を造り上げられる。中性子供給源のカドミウム比は本発明の重要なパラメーターであり、曖昧さを避けるために厳密に定義される。レシピが有効であることの証拠が、これに従って製造したウエハー上に据え付けられたMOSコンデンサーとPN接合から導かれる特性化結果の形で与えられる。これらの結果から、少数担体の公称寿命、界面密度、および逆バイアス下での漏れ電流が、ブランクのプライムウエハーからのものと同じであることがわかる。
請求項（抜粋）：
約1×1017〜約2×1018原子/cm3の酸素含量を有する単結晶シリコンインゴットをCZ法により製造する工程;および明確に定めたカドミウム比を有する中性子を使用して、前記結晶に特定のトータル流束量の中性子を照射することによって、前記結晶中に天然に含まれているシリコン同位体Si30をリン同位体P31に変換する工程、これによりレシピにしたがって、前記結晶内に初期酸素含量の特定の酸素含量損失が起こる;を含む、リンをドーピングしたシリコンの製造法。
IPC (3件)：
H01L 21/261
, C30B 29/06 502
, G06F 17/00
H01L 21/26 N
, C30B 29/06 502 Z
, G06F 15/20 D
