特許
J-GLOBAL ID：200903085779137300
半導体基板への溝の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-335051
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163510
出願日： 1992年11月20日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】 半導体結晶のエッチング方法で、結晶の面方位に依存せずに任意の断面形状を持つエッチング溝を形成する方法を提供する。【構成】 硫酸,過酸化水素,水からなるのエッチング液20の中に、半導体結晶1を浸す。半導体結晶1の表面に部分的に紫外光10を照射する。紫外光10を照射した半導体結晶1表面は他の表面より著しくエッチングが進む。照射する紫外光に強度分布を持たせたり、移動させたりすることにより、所望の断面形状のエッチング溝50,56,57,59を形成する。【効果】 結晶の面方位に関係なく、任意の断面形状を持つエッチング溝を量産性良く形成できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板への溝の形成方法において、半導体基板を1種以上の組成からなる液体に浸す、もしくは気体にさらした状態で上記半導体基板の表面上にライン状の光を照射する工程を含むことを特徴とする半導体基板への溝の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306
, H01L 21/302
