特許

J-GLOBAL ID：200903085782975146

不揮発性半導体メモリ装置及びその製造方法

発明者： 安藤 仁志 ,  浜田 稔
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-061052
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273226
出願日： 1994年03月30日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【目的】 フローティングゲートを有する不揮発性半導体メモリ装置のメモリセルトランジスタの動作特性の悪化を防止する。【構成】 シリコン基板21上に複数の分離領域22が配置され、この分離領域22の間に跨るようにフローティングゲート24が配置される。フローティングゲート24は、分離領域22に平行な方向で中央部が薄く形成され、交差する方向で均一な厚さに形成される。このフローティングゲート24上には、一部が重なり合うようにして制御ゲート26が配置される。

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体基板と、この半導体基板上に電気的に独立した状態で配置されるフローティングゲートと、このフローティングゲートに隣接し、少なくとも一部が重なり合って配置される制御ゲートと、上記フローティングゲートの上記制御ゲートに対向する側とは反対側の基板領域に形成される逆導電型の第1の半導体領域と、上記制御ゲートの上記フローティングゲートに対向する側とは反対側の基板領域に形成される逆導電型の第2の半導体領域と、を備え、上記フローティングゲートの厚さが上記制御ゲートに交差する方向で中央部が端部より薄く形成され、上記制御ゲートに平行な方向で略均一に形成されることを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。

IPC (3件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792