特許

J-GLOBAL ID：200903085783743761

強誘電体薄膜素子及びその製造方法

発明者： 松永 宏典
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-002712
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200059
出願日： 1997年01月10日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、SrBi2Ta2O9を初めとしたBi系層状ベロプスカイト構造を有する酸化物強誘電体の優れた強誘電特性を有効に引き出し、デバイス開発への適用性を高めることができるc軸配向成分を多く含む強誘電体多結晶薄膜を実現すると共に、それを再現性良く比較的低温の結晶化温度で形成可能な強誘電体薄膜素子及びその製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】 基板1上に強誘電体多結晶薄膜6を備えた強誘電体薄膜素子において、強誘電体多結晶薄膜6を所望の面方位に優先配向させるテンプレート層5を基板1と強誘電体多結晶薄膜6との間に設けて構成する。

請求項（抜粋）：

基板上に強誘電体多結晶薄膜を備えた強誘電体薄膜素子において、前記強誘電体多結晶薄膜を所望の面方位に優先配向させるテンプレート層を前記基板と前記強誘電体多結晶薄膜との間に設けたことを特徴とする強誘電体薄膜素子。

IPC (11件)：

H01L 27/10 451 ,  C01G 29/00 ,  G01J 1/02 ,  H01B 3/12 318 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 37/02 ,  H01L 41/18

FI (8件)：

H01L 27/10 451 ,  C01G 29/00 ,  G01J 1/02 R ,  H01B 3/12 318 Z ,  H01L 37/02 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 41/18 101 Z