光電変換素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-242714
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087064
出願日： 1997年09月08日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】電荷移動度を向上させることにより、特性の向上した光電変換素子を得る。【解決手段】光電変換素子は電荷輸送層を備え、電荷輸送層が、ホッピング伝導による電荷輸送能を有しかつ配向が可能である高分子液晶材料からなっている。素子使用時に、電荷移動可能なホッピングサイト(分子の一部分)を配向させ電荷移動度を向上させる。

請求項（抜粋）：

電荷輸送層を備えた光電変換素子において、上記電荷輸送層が、ホッピング伝導による電荷輸送能を有しかつ配向が可能である高分子液晶材料からなることを特徴とする光電変換素子。

IPC (8件)：

H05B 33/22 , G02F 1/13 500 , G02F 1/13 505 , G03G 5/07 , H05B 33/14 , C08G 77/14 , C08L101/12 , C09K 19/38

FI (8件)：

H05B 33/22 , G02F 1/13 500 , G02F 1/13 505 , G03G 5/07 , H05B 33/14 , C08G 77/14 , C08L101/12 , C09K 19/38

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