特許
J-GLOBAL ID：200903085789743810
イオン注入装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-277669
公開番号（公開出願番号）：特開平8-138618
出願日： 1994年11月11日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：
【要約】【目的】 バイアスサプレッサの表面の堆積物に起因する発塵が抑制できるイオン注入装置を得る。【構成】 イオンビームが照射される半導体基板5を載置するディスク4と、半導体基板5の周囲から上流側にかけて設けられ半導体基板に入射するイオン数をカウントするファラデー6と、半導体基板5やディスクから飛び出した二次電子をファラデー6に戻すためのバイアスサプレッサ7と、プラズマを発生し二次電子を中和させるプラズマフラット8とをエンドステーション10内に備えたイオン注入装置において、プラズマフラット8にプラズマで発生する正イオンを引き寄せ捕促する負電極11を設けたことを特徴とするイオン注入装置。
請求項（抜粋）：
イオンビームが照射される半導体基板を載置するディスクと、上記半導体基板の周囲から上流側にかけて設けられ上記半導体基板に入射するイオン数をカウントするファラデーと、上記半導体基板や上記ディスクから飛び出した二次電子を上記ファラデーに戻すためのバイアスサプレッサと、プラズマを発生し上記二次電子を中和させるプラズマフラットとをエンドステーション内に備えたイオン注入装置において、上記プラズマフラットに上記プラズマで発生する正イオンを引き寄せ捕促する負電極を設けたことを特徴とするイオン注入装置。
IPC (3件)：
H01J 37/317
, C23C 14/48
, H01L 21/265
