特許
J-GLOBAL ID:200903085794143650
MnZnNi系フェライト
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
皿田 秀夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-056596
公開番号(公開出願番号):特開2002-255559
出願日: 2001年03月01日
公開日(公表日): 2002年09月11日
要約:
【要約】【課題】 100°C以上、特に150°C近辺での高温下における飽和磁束密度Bsが高く、かつ(多少の低損失化を犠牲にしたとしても)当該高温下における磁気的劣化が少なく磁気的安定性に優れるソフトフェライトを提供する。【解決手段】 主成分として酸化鉄をFe2O3換算で55.0〜59.0モル%、酸化亜鉛をZnO換算で0〜15.0モル%(ただし、0を含まず)、酸化ニッケルをNiO換算で2.0〜10.0モル%、残部として酸化マンガン(MnO)を含むMnZnNi系フェライトであって、下記のフェライトの組成式(1)におけるδ値(陽イオン欠陥量)を、δ値≦0.0025としてなるように構成される。 (Zna2+,Nib2+,Mnc2+,Mnd3+,Fee2+,Fef3+)3O4+δ ...式(1)a+b+c+d+e+f=3 δ=a+b+c+(3/2)d+e+(3/2)f - 4の関係を満たす
請求項(抜粋):
主成分として酸化鉄をFe2O3換算で55.0〜59.0モル%、酸化亜鉛をZnO換算で0〜15.0モル%(ただし、0を含まず)、酸化ニッケルをNiO換算で2.0〜10.0モル%、残部として酸化マンガン(MnO)を含むMnZnNi系フェライトであって、下記のフェライトの組成式(1)におけるδ値(陽イオン欠陥量)を、δ値≦0.0025としてなることを特徴とするMnZnNi系フェライト。 (Zna2+,Nib2+,Mnc2+,Mnd3+,Fee2+,Fef3+)3O4+δ ...式(1)ただし、a+b+c+d+e+f=3 δ=a+b+c+(3/2)d+e+(3/2)f - 4の関係を満たす
IPC (3件):
C01G 49/00
, C04B 35/38
, H01F 1/34
FI (4件):
C01G 49/00 A
, C04B 35/38 A
, H01F 1/34 A
, H01F 1/34 B
Fターム (14件):
4G002AA06
, 4G002AA07
, 4G002AB01
, 4G002AE02
, 4G018AA01
, 4G018AA21
, 4G018AA23
, 4G018AA25
, 5E041AB01
, 5E041AB02
, 5E041AB12
, 5E041CA02
, 5E041NN01
, 5E041NN06
引用特許:
審査官引用 (5件)
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特開平3-268404
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特開平3-268404
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特開平2-083218
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特開平2-083218
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低損失フェライト磁心材料
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-214868
出願人:川崎製鉄株式会社
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