特許
J-GLOBAL ID：200903085795553070
スパッタリング方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-123080
公開番号（公開出願番号）：特開平11-315378
出願日： 1998年05月06日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：
【要約】【課題】 大型基板に対して基板上に形成する薄膜の膜厚均一性を向上できるスパッタリング方法及び装置を提供する。【解決手段】 ターゲット6裏面に配置する磁場発生手段としての長方形線上に配置した外側磁石20と大略直線状の内側磁石24から成る磁石ユニット9において、少なくとも内側磁石24を複数に分割された内側分割磁石25a、25bにより構成し、プラズマの大略直線状の部分のプラズマ密度が直線に沿う方向に増加、減少を少なくとも1回以上繰り返すプラズマが形成されるようにし、大型基板においても薄膜の膜厚が基板面内で均一になるようにした。
請求項（抜粋）：
基板と対向するように配置したターゲット表面上に大略直線状の部分と曲線状の部分から成るプラズマを形成し、プラズマ中のイオンによってターゲットをスパッタリングし、基板上に薄膜を形成するスパッタリング方法において、プラズマの大略直線状の部分のプラズマ密度が直線に沿う方向に増加、減少を少なくとも1回以上繰り返すプラズマを用いることを特徴とするスパッタリング方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/35 C
, H01L 21/203 S
