特許
J-GLOBAL ID：200903085795783483
薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山谷 晧榮 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-121036
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333953
出願日： 1993年05月24日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 本発明は薄膜トランジスタの製造方法に関し、特にトラップ密度の小さい非単結晶半導体層を得ることを目的とする。【構成】 ガラス基板上に、例えば、ジシランガスを用いたCVD法でアモルファスシリコン層を成膜し、これをヘリウムのプラズマ中でアニールすることにより固相成長させて非単結晶半導体層を製造し、これにTFTを形成する。
請求項（抜粋）：
ガラス基板上の非単結晶半導体層に形成した薄膜トランジスタにおいて、ガラス基板上にアモルファスシリコン層を成膜し、このアモルファスシリコン層をヘリウムのプラズマ中でアニールすることにより固相成長させ、この固相成長させた層にトランジスタを形成したことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 21/20
