特許

J-GLOBAL ID：200903085797325709

半導体光導波路及びその作製方法

発明者： 岩井 則広 ,  向原 智一 ,  粕川 秋彦
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-314205
公開番号（公開出願番号）：特開2000-147284
出願日： 1998年11月05日
公開日（公表日）： 2000年05月26日
要約：

【要約】【課題】 Al酸化層による光閉じ込め構造をInP基板上に有する半導体光導波路を提供する。【解決手段】 本半導体光導波路20の要部は、InP基板21上に形成され、InP層22、厚さ100nmのAlInAs層23、GaInAsP層24、厚さ50nmのAlInAs層25、GaInAsP層26、厚さ100nmのAlInAs層27、及び、InP層28の積層構造であって、リッジ30として形成されている。AlInAs層23、25及び27は、リッジ中央部では非酸化のAlInAs層のままであり、リッジ側面部では、各AlInAs層中のAlが選択的に酸化されたAl酸化層31となっている。層23と層27の非酸化領域の幅はほぼ同じW1 で狭く、層25の非酸化領域の幅W2 は層23、27の幅W1 に比べて広い。リッジ中央領域32は、ほぼ円形の非酸化の屈折率の高いコア層を構成して光導波路として機能し、リッジ中央領域以外のリッジ周辺領域は、屈折率の低いAl酸化層からなる光閉じ込め構造を構成する。

請求項（抜粋）：

複数層のAlInAs層を含む半導体層のリッジ状の積層構造としてInP基板上に形成され、AlInAs層は、リッジの両側面から内方に、リッジ幅の全幅にわたり、又は所定幅だけ、AlInAs層中のAlが選択的に酸化されてAl酸化層に転化していることを特徴とする半導体光導波路。

IPC (3件)：

G02B 6/122 ,  G02B 6/13 ,  H01S 5/22

FI (3件)：

G02B 6/12 A ,  H01S 3/18 662 ,  G02B 6/12 M

Fターム (17件)：

2H047KA04 ,  2H047KA05 ,  2H047MA05 ,  2H047MA07 ,  2H047PA03 ,  2H047PA06 ,  2H047PA24 ,  2H047QA02 ,  2H047TA42 ,  2H047TA43 ,  2H047TA44 ,  5F073AA12 ,  5F073CA07 ,  5F073CA12 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA21