半導体レーザ素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-116841
公開番号（公開出願番号）：特開平6-334257
出願日： 1993年05月19日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】放熱効率が良く、発光効率の低下が防止できる半導体レーザ素子を得ることを目的とする。【構成】放熱用サブマウント3の上にLDチップ1が半田(図示せず)により接着されている。LDチップ1の上面には電極2が設けられ、電極2の上には新たな放熱板13が設けられている。【効果】放熱板13の効果で、レーザ発振に伴うLDチップ1の温度上昇が抑制されて、レーザ素子の発光効率の低下を防止できる。また、幅広の1枚の放熱板で形成すれば、構造的に強固となり、形成不良や外部衝撃による破損を防止することができる。

請求項（抜粋）：

冷却のための第1の放熱体と、前記第1の放熱体の上に設けられた、ジャンクションアップ構造のレーザチップとを有し、前記レーザチップの上部電極の上に密着して、第2の放熱体を設けたことを特徴とする半導体レーザ素子。

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