特許

J-GLOBAL ID：200903085805780909

熱処理装置および方法

発明者： 大加瀬 亘
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン東北株式会社
代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-163011
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335575
出願日： 1995年06月06日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：

【要約】【目的】 反応容器の下方側から例えば半導体ウエハを熱処理領域まで1枚づつ搬入して枚葉処理を行うにあたって、ウエハ上に処理ガスを均一に供給し、熱処理の面内均一性を高めること。【構成】 光透過性材料により構成された下面開口の円筒形状の制御板5をその上面がウエハWの被処理面と対向するように配設し、熱処理の際には、処理ガスを反応容器2の上部から下部へ向けて供給しながらこの制御板5を昇降軸52により上昇させる。この制御板5の全面には厚さ方向にガス通流孔51が形成されており、処理ガスはガス通流孔51を通過してウエハW上へ到達する。従って処理ガスは制御板5により流量及び圧力を弱められるのでこのためウエハの中心部における負圧の程度が小さくなり、ウエハの表面におけるガス流れが均一になって、面内均一性の高い熱処理が行なえる。

請求項（抜粋）：

反応容器内の上部側のガス供給口から下部側へ向けて処理ガスを供給しながら、被処理基板を保持具に保持させて反応容器内の下方側から熱処理領域まで上昇させ、反応容器の外に設けられた加熱源からの輻射熱により熱処理する熱処理装置において、前記被処理基板と前記ガス供給口との間に、その厚さ方向に複数のガス通流孔が形成された光透過性の制御板を、被処理基板と対向するように昇降可能に設けたことを特徴とする熱処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/22 511

FI (2件)：

H01L 21/31 E ,  H01L 21/22 511 S