特許
J-GLOBAL ID:200903085810545454
光電変換素子
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
杉浦 正知
, 森 幸一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-006914
公開番号(公開出願番号):特開2004-220920
出願日: 2003年01月15日
公開日(公表日): 2004年08月05日
要約:
【課題】逆電子移動反応が起こらず、耐久性が高く、光電変換効率が高い光電変換素子を提供する。【解決手段】一対の透明導電性基板の間に半導体微粒子からなる半導体電極および電解質層を有する光電変換素子において、受光面側から透明基板1、導電性配線層2aおよび金属酸化物層2bが順に積層されてなるシート抵抗10Ω/□以下の透明導電性基板を受光面側に用いる。金属酸化物層2bとしては、In-Sn複合酸化物、SnO2 、TiO2 、ZnO等を用いる。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
受光面側から透明基板、導電性配線層および保護層が順に積層されてなるシート抵抗10Ω/□以下の透明導電性基板を用いた
ことを特徴とする光電変換素子。
IPC (2件):
FI (2件):
H01M14/00 P
, H01L31/04 Z
Fターム (17件):
5F051AA14
, 5F051BA18
, 5F051DA20
, 5F051FA04
, 5F051FA30
, 5F051GA02
, 5H032AA06
, 5H032AS16
, 5H032CC16
, 5H032EE01
, 5H032EE02
, 5H032EE07
, 5H032EE16
, 5H032EE18
, 5H032HH01
, 5H032HH04
, 5H032HH08
引用特許:
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