特許
J-GLOBAL ID：200903085816685576
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-292854
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139084
出願日： 1995年11月10日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：
【要約】【課題】 同期型半導体記憶装置において、ライトのサイクルタイムを短縮する。【解決手段】 ライトパルス発生回路13Aは、パイプライン活性化信号PEN、ライト活性化信号WEN及び同期信号ICLK1Dを入力とし、NANDゲート、ディレイ素子DL2等により一定時間幅のパルスを発生するフリップフロップを構成する。同期信号ICLK1DがHighとなると、一定時間メモリライトの非活性化信号を発生した後、次の同期信号までメモリライト活性化信号を発生する。ディレイ素子DL1の遅れ量及びディレイ素子DL2の遅れ量を調整すれば、ライトバス対WBUS2T/Nにライトデータが表れている間は、カラム選択線が切り変わることなくセンスアンプに正確にライトされ、このライト時間はサイクルタイムに依存する。
請求項（抜粋）：
複数のメモリセルと、該メモリセルとデジット線で接続された複数のセンスアンプとを有し、該センスアンプへのデータライトを制御するライトスイッチ信号は、外部クロックが入力された後、少なくとも所定の第一の遅延時間後の第一のタイミングまでには非活性化状態となり、さらに所定の第二の遅延時間後の第二のタイミングで活性化状態となり、前記活性化状態は少なくとも次の外部クロック入力まで保持されることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 11/413
, G11C 7/00 313
G11C 11/34 J
, G11C 7/00 313
