ハードマスク及びCl2/N2/O2及びCl2/CHF3/O2の化学的性質を利用するIr及びPZTのプラズマエッチング

発明者： , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：古谷聡 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-066300
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282844
出願日： 2003年03月12日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】FeRAMセルを高密度かつ高スループットで製造するには、精密かつ効率的なエッチングプロセスが必要である。【解決手段】PZTをエッチングし、かつ/または、Ir/IrOx電極(350/355,300/335)を備えた、強誘電体コンデンサー及びPZT強誘電体層(340)を形成するためのプロセスは、チタン含有ハードデスク(360)、塩素/酸素系プラズマ、通常約350°Cのホット基板を使用する。エッチングプロセスは、PZT層(240)のエッチングのために、塩素/酸素系のプラズマにCHF3のようなふっ素含有化合物を加え、かつIr層(350/330)をエッチングするときに、側壁プロファイルを改善するために窒素を加える。塩素/酸素系のプラズマは、Ir及びPZT層に対して高いエッチング速度かつハードマスク(360)に対して低いエッチング速度を有する良好な選択性を提供する。

請求項（抜粋）：

基板(210)上に電極層(230,250)及び強誘電体層(240)を含む構造(200)を形成し、前記電極層(230,250)及び前記強誘電体層(240)の上にあるハードマスク(360)を形成し、塩素及び酸素を含む第1のプラズマにおいて前記電極層(230,250)をエッチングし、その際、前記ハードマスク(360)が画定する範囲において、前記第1のプラズマが、前記電極層(230,250)を通してエッチングし、かつ塩素、酸素及びふっ素含有化合物を含む第2のプラズマにおいて前記強誘電体層(240)をエッチングし、その際、前記ハードマスク(360)が画定する範囲において、前記第2のプラズマが、前記強誘電体層(240)を通してエッチングすることからなる、強誘電体コンデンサの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/105 , H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 27/10 444 C , H01L 21/302 105 A

Fターム (17件)：

5F004AA09 , 5F004BA04 , 5F004DA00 , 5F004DA04 , 5F004DA11 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DB00 , 5F004EA28 , 5F004EB02 , 5F004EB08 , 5F083FR01 , 5F083JA15 , 5F083JA38 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083PR03

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