特許

J-GLOBAL ID：200903085818623896

化合物半導体発光素子及びその製造方法

発明者： 岡崎 治彦 ,  渡辺 幸雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-328558
公開番号（公開出願番号）：特開平10-173224
出願日： 1996年12月09日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：

【要約】【課題】 生産コストが低く、量産性に適し、かつ十分な発光パワーが得られる化合物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 サファイア基板1の上にGaNバッファ層3、n型GaN層5、p型ドーパントのMgを含むp型GaN層7を成長させる。露出したn型GaN層5の上に、p型GaN層7と絶縁するN側電極9を形成する。p型GaN層7の上にSiO2 膜11、及びp型GaN層7と同一p型ドーパントのMgを含む金属薄膜電極13を形成する。金属薄膜電極13の上に、ITO(Indium Tin Oxide)透明電極15を形成する。SiO2 膜11の上に、ITO透明電極15の一部と接するボンディングパッド用P側電極17を形成する。

請求項（抜粋）：

GaN系化合物半導体層から光を取り出す化合物半導体発光素子であって、サファイア基板と、該サファイア基板上に成長した第1導電型InxGayAlzN層(x+y+z=1,0≦x,y,z≦1)と、該第1導電型GaN層上に成長した第2導電型InxGayAlzN層(x+y+z=1,0≦x,y,z≦1)と、該第2導電型GaN層と絶縁され、前記第1導電型InxGayAlzN層(x+y+z=1,0≦x,y,z≦1)上に形成された第1電極と、前記第2導電型InxGayAlzN層(x+y+z=1,0≦x,y,z≦1)上の一部領域に形成された絶縁膜と、前記第2導電型InxGayAlzN層(x+y+z=1,0≦x,y,z≦1)上の前記絶縁膜形成領域以外の領域に形成された、前記第2導電型InxGayAlzN層(x+y+z=1,0≦x,y,z≦1)と同一導電型ドーパントを含む金属薄膜電極と、該金属薄膜電極上に形成された透明電極と、前記絶縁膜上に形成され、少なくとも前記透明電極の一部と接する第2電極とを具備したことを特徴とする化合物半導体発光素子。